Carbură de siliciu grosieră

Carbură de siliciu 100 granulație Descriere

Dispozitivele electronice de putere mare cu semiconductor de a treia generație reprezentate de SiC este unul dintre dispozitivele semiconductoare de putere cu cea mai rapidă creștere în domeniul electronicii de putere.

Carbura de siliciu ca reprezentant tipic al celei de-a treia generații de materiale semiconductoare, dar și cea mai matură tehnologie de producție a cristalelor și nivelul de fabricație a dispozitivelor, unul dintre cele mai utilizate materiale semiconductoare cu lățime de bandă largă, a format un lanț mondial al industriei materialelor, dispozitivelor și aplicațiilor. Este un material semiconductor ideal pentru aplicații la temperaturi înalte, de înaltă frecvență, rezistente la radiații și de mare putere.

Specificația produselor din carbură de siliciu

Furnizori de produse din carbură de siliciu-ZhenAn International

Producător de carbură de siliciu cu granulație 100 - ZhenAn International

Furnizor de pulbere SiC-ZhenAn

Proprietăți mecanice:duritate ridicată (duritate Kjeldahl de 3000 kg/mm²), poate tăia rubinul; rezistență ridicată la uzură, a doua numai după diamant.

Proprietăți termice:conductivitatea termică o depășește pe cea a cuprului metalic, de 3 ori pe cea a Si și de 8 până la 10 ori pe cea a GaAs, disipare bună a căldurii, foarte importantă pentru dispozitivele de mare putere.

Proprietăți chimice:rezistența la coroziune este foarte puternică, la temperatura camerei poate rezista aproape oricăror agenți corozivi cunoscuți. Oxidare ușoară a suprafeței SiC pentru a genera un strat subțire de SiO2, poate preveni oxidarea ulterioară, în mai mult de 1700 de grade, acest strat de topire a filmului de oxid și reacție rapidă de oxidare. SiC poate fi dizolvat în materialul de oxidare topit.

Proprietăți electrice:4H-SiC și 6H-SiC band gap este de aproximativ 3 ori mai mare decât Si, de 2 ori mai mare decât GaAs; intensitatea câmpului electric de descompunere este cu un ordin de mărime mai mare decât cea a Si, iar rata de saturație a deplasării electronilor este de 2,5 ori mai mare decât a Si. 4H-SiC are o bandă interzisă mai mare decât 6H-SiC.

Carbură de siliciu cu granulație 36 Fotografii vizitate de clienți

FAQ

Î: Prețul este negociabil?

R: Da, vă rugăm să nu ezitați să ne contactați oricând dacă aveți întrebări. Iar pentru clienții care doresc să mărească piața, vom face tot posibilul să îi sprijinim.

Î: Puteți furniza mostre gratuite?

R: Da, putem furniza mostre gratuite clienților pentru ca aceștia să verifice calitatea sau să facă analizele chimice, dar vă rugăm să ne spuneți cerințele detaliate pentru ca noi să pregătim probele potrivite.

Î: Când puteți livra mărfurile?

A: De obicei, putem livra mărfurile în termen de 15-20 zile de la primirea plății în avans sau a L/C inițial.

Î: Puteți furniza un raport de testare emis de SGS sau de o altă inspecție terță parte?

R: Da, putem, dacă clienții solicită rapoarte de testare de la terți.

Sperăm sincer să fim partenerul tău, salutăm clienții noi și vechi să viziteze ghidul, precum și diverse forme de discuții de cooperare comercială!

Tag-uri populare: carbură de siliciu grosieră, producători de carbură de siliciu grosieră din China, furnizori, fabrică, CARBIDA SILICONULUI NEGRU DE 60 GRIT, Particulă de carbură de siliciu negru, Lustruire carbură de siliciu abraziv, Carbură de siliciu 1200 Grit, Carbură de siliciu 80 Grit, Pulbere de carbură de siliciu 80 120 Grit