Carborundum negru

Carborundum negru Descriere

În următorii câțiva ani, proporția de-plachete epitaxiale cu carbură de siliciu de dimensiuni mari va crește de la an la an. Pe măsură ce substratul cu carbură de siliciu de 4 inchi și tehnologia epitaxială au devenit din ce în ce mai mature, prin urmare, napolitana epitaxială cu carbură de siliciu de 4 inci nu mai există o lipsă de aprovizionare, spațiul său viitor de reducere a prețurilor este limitat. În plus, deși actualii producători internaționali avansați au dezvoltat substrat de carbură de siliciu de 8 inchi, dar intrarea sa pe piața de producție a dispozitivelor de putere cu carbură de siliciu va fi un proces lung, odată cu maturarea treptată a tehnologiei epitaxiale cu carbură de siliciu de 8 inchi, viitorul poate apărea linie de producție a dispozitivelor de putere cu carbură de siliciu de 8 inchi.

Dacă sunteți interesat de produsele noastre, contactați-ne acum! Ne putem personaliza produsele în funcție de cerințele clienților!

Specificații pentru pulbere de carbură de siliciu neagră

Furnizori de pulbere de carbură de siliciu neagră-ZhenAn International

Producător de carbură de siliciu cu granulație 80-ZhenAn International

60 90 Furnizor Grit Silicon Carbide-ZhenAn International

Epitaxia cu carbură de siliciu rezolvă în principal două probleme majore: controlul uniformității plachetelor epitaxiale și controlul defectelor epitaxiale.

(1) Controlul uniformității plachetei epitaxiale, datorită creșterii dimensiunii plăcilor epitaxiale este adesea însoțit de o scădere a uniformității plachetei epitaxiale, astfel încât controlul uniformității plachetelor epitaxiale de dimensiuni mari este cheia pentru a îmbunătăți randamentul și fiabilitatea dispozitivului și apoi pentru a reduce costurile.

(2) Controlul defectelor epitaxiale. Dislocarea planului cristalin al bazei (BPD) este un defect cristalin important care afectează stabilitatea dispozitivelor de putere bipolară cu carbură de siliciu, iar reducerea continuă a densității BPD este direcția principală pentru dezvoltarea tehnologiei de creștere epitaxiale. Datorită densității ridicate de BPD a substraturilor de carbură de siliciu preparate prin transportul meteorologic fizic (PVT), majoritatea BPD-urilor din stratul epitaxial care sunt dăunătoare dispozitivului provin din pătrunderea BPD-urilor în substrat în stratul epitaxial. Prin urmare, îmbunătățirea calității cristalizării substratului poate reduce în mod eficient densitatea de dislocare a BPD în stratul epitaxial.

Pulbere de carbură de siliciu cu granulație 1500 Fotografii vizitate de client

FAQ

Î: Sunteți producător?

R: Da, suntem un producător situat în orașul Anyang, provincia Henan. În calitate de furnizor profesionist de materii prime metalurgice, punem întotdeauna calitatea produsului pe primul loc. Utilizăm cele mai avansate echipamente și tehnologie de la controlul materiilor prime, procesul de fabricație și sistemul de control al calității pentru a ne asigura că produsele noastre îndeplinesc standardele industriei și satisfac nevoile clienților.

Î: Ce fel de termeni de plată acceptați?

R: Pentru comenzi mici, puteți plăti prin T/T, Western Union sau Paypal, comandă normală prin T/T sau LC în contul companiei noastre

Î: Cum pot obține o mostră de Black Carborundum?

R: Sunt disponibile mostre gratuite, dar taxele de transport vor fi în contul dvs., iar taxele vă vor fi returnate sau deduse din comanda dumneavoastră în viitor.

Î: Cum să confirmi calitatea produsului înainte de a plasa comenzi?

R: Puteți obține mostre gratuite pentru unele produse, trebuie doar să plătiți costul de transport sau să aranjați un curier la noi și să luați mostrele. Ne puteți trimite specificațiile și solicitările produsului dvs., vom fabrica produsele conform solicitărilor dvs.

Tag-uri populare: carborundum negru, China producători de carborundum negru, furnizori, fabrică, Carbură de siliciu negru pulbere fină, Cereale carborundum, Lustruire carbură de siliciu abraziv, SiC Abrazive Powder 80 120 Grit, Carbură de siliciu 100 grâu, Pulbere de trântire a carbului de siliciu