Medii cu carbură de siliciu
Carbură de siliciu cu granulație 100 Descriere
Carbura de siliciu în semiconductor în existența formei principale este ca material de substrat, pe baza caracteristicilor sale excelente, utilizarea de performanță limită a substratului de carbură de siliciu este mai bună decât substratul de siliciu, substratul de carbură de siliciu poate îndeplini condițiile de temperatură ridicată, presiune înaltă, înaltă frecvență, putere mare și alte condiții ale necesităților aplicației, substratul actual de carbură de siliciu a fost aplicat dispozitivelor cu frecvență radio și dispozitivelor de putere.
Dacă sunteți interesat de produsele noastre, contactați-ne acum! Ne putem personaliza produsele în funcție de cerințele clienților!
Specificații de carbură de siliciu cu granulație de 120
Furnizori de carbură de siliciu cu granulație 120-ZhenAn International
| Articol | Sic | F.C | Fe2O3 | Umiditate |
| SiC 86 | 86%min | 2,4% max | 2,0% max | 0,2% max |
| SiC 88 | 88% min | 2,3% max | 2,0% max | 0,2% max |
| SiC90 | 90% min | 2,0% max | 1,8% max | 0,2% max |
| SiC92 | 92% min | 1,8% max | 1,7% max | 0,2% max |
| SiC93 | 93% min | 1,8% max | 1,6% max | 0,2% max |
| SiC 95 | 95% min | 1,0% max | 1,3% max | 0,2% max |
| SiC97 | 97% min | 0,8% max | 1,2% max | 0,2% max |
| SiC97.5 | 97,5% min | 0,8% max | 0,9% max | 0,2% max |
| SiC98 | 98% min | 0,5% max | 0,5% max | 0,2% max |
Furnizor profesional de carbură de siliciu cu granulație 1200-ZhenAn

Producător de carbură de siliciu cu granulație 180-ZhenAn International

Avantajele dispozitivelor cu carbură de siliciu sunt următoarele:
(1)rezistență la{0}}înaltă tensiune.Intensitatea câmpului electric de defalcare este mare, de 10 ori mai mare decât cea a siliciului, dispozitivele cu carbură de siliciu pot fi pregătite pentru a îmbunătăți considerabil capacitatea de rezistență la tensiune, frecvența de operare și densitatea curentului și pentru a reduce considerabil pierderea de conducție a dispozitivului. Deci, în procesul real de aplicare, în comparație cu baza de siliciu, poate fi proiectată într-un volum mai mic, aproximativ 1/10 din dispozitivele bazate pe siliciu-.
(2)Rezistență la temperaturi ridicate.Dispozitivele semiconductoare la temperaturi mai ridicate vor produce excitație intrinsecă a purtătorilor, ducând la defectarea dispozitivului. Cu cât lățimea de bandă interzisă este mai mare, cu atât temperatura limită de funcționare a dispozitivului este mai mare. Banda interzisă de carbură de siliciu este aproape de trei ori mai mare decât cea a siliciului, ceea ce asigură fiabilitatea dispozitivelor cu carbură de siliciu care funcționează la temperaturi ridicate. Temperatura limită de funcționare a dispozitivelor cu siliciu nu poate depăși, în general, 300 de grade, în timp ce temperatura limită de funcționare a dispozitivelor cu carbură de siliciu poate ajunge la mai mult de 600 de grade. În același timp, conductivitatea termică a carburii de siliciu este mai mare decât a siliciului, conductivitatea termică ridicată ajută la disiparea căldurii dispozitivului cu carbură de siliciu, în aceeași putere de ieșire pentru a menține o temperatură mai scăzută, dispozitivul cu carbură de siliciu este, de asemenea, mai puțin solicitant cu privire la proiectarea disipării căldurii, ceea ce ajută la realizarea miniaturizării dispozitivului.
(3) Obținerea performanței de înaltă frecvență-Rata de deplasare a electronilor de saturație cu carbură de siliciu este mare, de două ori mai mare decât cea a siliciului, ceea ce determină că dispozitivul cu carbură de siliciu poate atinge o frecvență de operare mai mare și o densitate de putere mai mare. În același timp, pierderea de energie a materialului substratului cu carbură de siliciu este mai mică. La aceeași tensiune și frecvență de conversie, la 400 V, pierderea de energie a invertorului MOSFET cu carbură de siliciu este de aproximativ 29%-60% din pierderea de energie a IGBT-de siliciu; la 800V, pierderea de energie a invertorului MOSFET cu carbură de siliciu este de aproximativ 30%-50% din pierderea de energie a IGBT pe bază de siliciu. Astfel, pierderea de energie a dispozitivelor cu carbură de siliciu este mult mai mică.
Pulbere de carbură de siliciu cu granulație 180 Fotografii vizitate de client

FAQ
Î: Sunteți producător?
R: Da, suntem un producător situat în orașul Anyang, provincia Henan. În calitate de furnizor profesionist de materii prime metalurgice, punem întotdeauna calitatea produsului pe primul loc. Utilizăm cele mai avansate echipamente și tehnologie de la controlul materiilor prime, procesul de fabricație și sistemul de control al calității pentru a ne asigura că produsele noastre îndeplinesc standardele industriei și satisfac nevoile clienților.
Î: Ce fel de termeni de plată acceptați?
R: Pentru comenzi mici, puteți plăti prin T/T, Western Union sau Paypal, comandă normală prin T/T sau LC în contul companiei noastre
Î: Cum pot obține o mostră de mediu cu carbură de siliciu?
R: Sunt disponibile mostre gratuite, dar taxele de transport vor fi în contul dvs., iar taxele vă vor fi returnate sau deduse din comanda dumneavoastră în viitor.
Î: Cum se confirmă calitatea produsului înainte de a plasa comenzi?
R: Puteți obține mostre gratuite pentru unele produse, trebuie doar să plătiți costul de transport sau să aranjați un curier la noi și să luați mostrele. Ne puteți trimite specificațiile și solicitările produsului dvs., vom fabrica produsele conform solicitărilor dvs.
Tag-uri populare: Medii cu carbură de siliciu, China producători de medii cu carbură de siliciu, furnizori, fabrică, 60 90 carbură de siliciu, Furnizori de pulbere Black SIC, Carbură de siliciu negru pulbere fină, Grătară de carbură de siliciu grosier, Green Carborundum, Carbură de siliciu verde 1200 Grit
O pereche de
Carbură de siliciuUrmătoarea
Carborundum negruS-ar putea sa-ti placa si
Trimite anchetă









